|
功率半导体器件命名规则 Naming-Conventions SiC-MOS / VD-MOS / LV-MOS / SJ-MOS / IGBT / SBD / LVF-SBD / FRD 八大器件型号编码说明 |
| (1) SiC-MOS 碳化硅MOS管 | |||||
| L | SC | XXX | M | XX | X |
| 公司代码 |
产品类别 SiC-MOS |
内阻参数 10-180mΩ |
MOS标识 |
电压等级 650-1200V |
封装定位 |
|
内阻示例：009=9mΩ，099=99mΩ，180=180mΩ； 封装：F=TO-220F / P=TO-220C / T=TO-263C / U=TO-251 / D=TO-252 |
|||||
| (2) VD-MOS 平面MOS管 | |||||
| CS | XX | N | XXX | A | X |
|
产品类别 平面MOS |
电流参数 7-20A |
极性标识 N-N沟道 P-P沟道 |
耐压等级 500-650V |
版本 | 封装定位 |
|
电流：7=7A，10=10A，12=12A，20=20A； 封装：2=TO-220F、3=TO-263、4=TO-251、5=TO-252等 |
|||||
| (3) LV-MOS 低压MOS管 | ||||||
| L | T | XXX | N | XX | A | X |
| 公司代码 |
芯片工艺 T=Trench G=SGT |
电流参数 10-100A |
极性标识 N-N沟道 P-P沟道 |
电压等级 30-150V |
版本 A标准版 B大版 |
封装定位 |
|
电流：10=10A，20=20A，100=100A； 封装：P=TO-220C / T=TO-263C / D=TO-252 / G=PDFN5*6 |
||||||
| (4) SJ-MOS 超结MOS管 | |||||
| L | C | XX | N | XXX | X |
| 公司代码 |
产品类别 超结MOS |
内阻参数 40-180mΩ |
极性标识 N-N沟道 P-P沟道 |
耐压等级 650V |
封装定位 |
|
内阻示例：040=40mΩ、099=99mΩ； 封装：F=TO-220F / P=TO-220C / T=TO-263C / U=TO-251 |
|||||
| (5) IGBT | |||||
| L | GT | XX | N | XXX | X |
| 公司代码 |
产品类别 IGBT |
额定电流 4-80A |
极性标识 |
额定电压 650-1200V |
封装定位 |
|
电流：04=4A、10=10A、20=20A； 封装：F=TO-220F / P=TO-220C / B=TO-247 |
|||||
| (6) SBD 普通肖特基二极管 | |||
| MBR | XX | XXX | CT |
|
二极管类型 MBR普通肖特基 |
电流参数 10-20A |
耐压等级 45-300V |
封装定位 |
|
电流：10=10A、16=16A、20=20A； 封装：CT=TO-220AB / FCT=TO-220F / DC=TO-263 |
|||
| (7) LVF-SBD 低VF肖特基二极管 | ||||
| SBT | XX | L | XXX | CT |
|
二极管类型 SBT低VF肖特基 |
电流参数 10-20A |
VF等级 L低VF U超低VF |
耐压等级 45-300V |
封装定位 |
|
电流：10=10A，16=16A，20=20A； 封装：CT=TO-220AB、FCT=TO-220F、D=TO-251、PTS=TO-247S |
||||
| (8) FRD 快恢复二极管 | |||
| MUR | XX | XXX | CT |
|
二极管类型 MUR快恢复二极管 |
电流参数 8-80A |
耐压等级 200-1200V |
封装定位 |
|
电流：08=8A，10=10A，20=20A； 封装：CT=TO-220AB、DC=TO-263、CS=TO-252、PTS=TO-247S |
|||