摘要:Buck非隔离DC-DC降压电源无隔离变压器,结构简单、转换效率高,多用于设备板载内部供电;器件选型重点关注MOS管耐压、导通电阻与续流二极管恢复特性,本文提供工业、车载、工控板场景下凌讯微电子功率器件选型方案。
产品概述:非隔离降压电源(Buck降压型)属于无电气隔离的DC‑DC开关电源,输入与输出共地,不包含高频隔离变压器。高压直流输入经过开关管、续流二极管、储能电感、输出电容组成Buck降压电路,将较高直流电压转换成稳定低压直流。电路结构简单、体积小巧、成本低、转换效率高;输入输出无电气隔离,输出端带有高压侧电位,不可用于人体可直接触碰的设备,一般安装在设备内部PCB电路板上。电路内置过流、过压、过温保护,常规采用自然散热方案。
基础电气规格(24V转12V‑3A Buck非隔离电源示例)
拓扑工作原理:高压直流输入电压先经过输入滤波电容平滑;Buck‑PWM控制器输出脉冲信号驱动MOS开关管高频导通与关断。MOS导通时输入电压给储能电感充电,电感储存能量;MOS关断时,电感通过续流二极管释放能量,电流流向输出侧;最后经过输出滤波电容平滑电压,得到稳定低压直流电。输出电压通过电阻分压采样送回主控芯片,形成闭环稳压控制。出现短路、过流、过温故障时,PWM芯片立刻关闭开关输出进入保护。整个电路没有隔离变压器,输入地和输出地直接连通。
图:左侧传统桥式Boost PFC;右侧图腾柱无桥PFC,采用SiC二极管降低反向恢复损耗
拓扑说明:左图为经典全桥整流+Boost PFC方案,交流电先经过二极管全桥整流,再由Boost电路升压校正功率因数;右图为图腾柱无桥PFC(Totem-Pole Bridgeless PFC),省去传统整流桥,减少二极管导通损耗。
两种拓扑均可搭配SiC肖特基二极管,利用其几乎无反向恢复电荷的特性,大幅降低高频开关损耗。传统桥式Boost适合中小功率电源;图腾柱无桥PFC适合大功率、高效率场景,可以减小电感体积、降低输入电流纹波。PFC输出稳定高压母线,再供给后级Buck降压电路实现二次稳压。
1、工业控制板内部供电场景
2、LED灯具内置驱动场景
3、车载设备板载供电场景
4、智能家居设备内部电源场景
5、机器人、电机控制板供电场景
6、电源模块二次降压场景
| 应用位置 | 类型 | 型号 | 规格 | 封装 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 开关管 | SJ MOS | LC65R040B | 35mR/650V | TO247 | Buck主开关管,高频低损耗 |
| 开关管 | SJ MOS | LC60R130F | 130mR/650V | TO220F | Buck主开关管,通用经济型 |
| 开关管 | SJ MOS | LC65R600F | 520mR/650V | TO220F | Buck主开关管,低压电流方案 |
| 开关管 | SJ MOS | LC65R600D | 520mR/650V | TO252 | Buck主开关管,贴片封装 |
| 开关管 | HV MOS | CS10N65A2 | 460mR/650V | TO220F | Buck主开关管,高压耐压方案 |
| 开关管 | HV MOS | CS30N65A6 | 255mR/650V | TO247 | Buck主开关管,大电流场景 |
| 开关管 | SIC MOS | LSC380M65D | 360mR/650V | TO252 | Buck主开关管,高频SiC方案 |
| 开关管 | SiC MOS | LSC040M65B | 35mR/650V | TO247 | Buck主开关管,超低损耗SiC |
| 续流整流 | SiC SBD | LSC10D65D | 10A /650V | TO252 | Buck续流二极管,高频低反向恢复 |
| 续流整流 | SiC SBD | LSC80D65B | 80A /650V | TO247 | Buck续流二极管,大功率方案 |
| 续流整流 | FRD | MUR1220CS | 12A /200V | TO252 | Buck续流快恢复二极管,低成本 |
| 输入整流 | 整流桥 | KBP810 | 8A /1000V | KBP | Buck前端交流输入整流桥 |
| 输入整流 | 整流桥 | KBP610 | 6A /1000V | KBP | Buck前端交流输入整流桥 |
Q1:Buck非隔离电源能不能做人体可触摸输出?
A:不可以。Buck输入输出共地,输出侧带有高压电位,没有电气隔离,只能内置在设备壳体内部,不能对外裸露输出。需要隔离请选用反激电源方案。
Q2:Buck电路MOS管选型优先看哪些参数?
A:优先耐压(预留1.5倍以上降额)、导通电阻Rds(on)、栅极电荷Qg;高频场景优先选择SiC MOS降低开关损耗。
Q3:Buck续流二极管为什么推荐SiC SBD?
A:SiC肖特基二极管几乎无反向恢复电荷,减少二极管反向恢复损耗,提升高频Buck电源转换效率,降低EMI噪声。
Q4:Buck和LDO线性降压的区别是什么?
A:Buck属于开关型DC-DC,转换效率高、发热小;LDO是线性降压,电路简单但压差大时损耗发热严重,适合小电流低压差场景。
Q5:Boost PFC电路为什么优先选用SiC二极管?
A:普通快恢复二极管存在明显反向恢复电流,高频下损耗大、EMI干扰强。SiC肖特基二极管反向恢复电荷几乎为零,适配Boost PFC高频工作,提升整机效率。
来源:广东凌讯微电子
编辑:技术部