摘要:本文为凌讯微电子电源类/储能专题文章,详解离网正弦波逆变器控制系统DC24V蓄电池供电、两级式推挽升压+H桥SPWM逆变电能变换电控系统拓扑,覆盖高压母线滤波、LC正弦滤波与多重保护,面向离网光伏储能、房车露营、应急后备、野外工程、小型通讯基站、农业户外设备等场景,提供高压SJ/HV/SiC MOS、IGBT、LDO、整流桥与大电流并联逆变半桥LV MOS器件选型清单,为逆变器功率变换与正弦波输出方案设计、器件选型提供参考。
产品概述:正弦波逆变器属于DC‑AC电能变换装置,将蓄电池、光伏输出的直流电转换为工频正弦波交流电。整机由直流输入端子、防反接保护、EMI滤波、DC‑DC升压电路、高压直流母线电容、全桥逆变功率单元、LC输出滤波电路、DSP/MCU主控单元、电压电流采样电路、散热系统、人机显示屏、告警输出接口组成。采用两级式拓扑:低压直流先升压至高压直流母线,再经过全桥逆变为AC220V/50Hz正弦交流电输出;具备过压、欠压、过流、过载、输出短路、过温保护功能,可为交流负载提供稳定的后备交流电源。
基础电气规格(以2000W机型为例)
拓扑工作原理:蓄电池输出DC24V直流电,经过防反接二极管、输入EMI滤波电路送入前级推挽升压电路,低压直流电升压转换为高压直流;高压电能存储在直流母线电容中。主控DSP芯片采集母线电压、交流输出电压、输出电流、散热器温度信号,运行SPWM调制算法,输出四路互补PWM脉冲,驱动H桥逆变功率管,将高压直流电逆变为高频SPWM波;高频波形经过LC电感‑电容滤波电路平滑之后,输出纯净50Hz正弦波交流电供给负载。系统实时监测运行状态,一旦检测到欠压、过载、短路、超温故障,立刻封锁所有PWM输出,停机并且触发蜂鸣器告警。
1、离网光伏储能供电场景
2、房车、露营车载供电场景
3、应急后备电源场景
4、野外工程作业供电场景
5、小型通讯基站后备电源场景
6、水产养殖、农业户外设备供电场景
下表为离网正弦波逆变器控制系统推荐功率器件:电机半桥SJ/HV/SiC MOS与IGBT、驱动LDO、整流桥及大电流并联逆变半桥LV MOS,适配推挽升压+H桥SPWM逆变功率变换方案选型。
| 应用位置 | 类型 | 型号 | 规格 | 封装 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 电机半桥 | SJ MOS | LC65R380D | 350mR/650V | TO252 | 半桥/整流 |
| 电机半桥 | SJ MOS | LC65R040B | 35mR/650V | TO247 | 半桥/整流 |
| 电机半桥 | SJ MOS | LC60R130F | 130mR/650V | TO220F | 半桥/整流 |
| 电机半桥 | SJ MOS | LC65R600F | 520mR/650V | TO220F | 半桥/整流 |
| 电机半桥 | SJ MOS | LC65R600D | 520mR/650V | TO252 | 半桥/整流 |
| 电机半桥 | HV MOS | CS10N65A2 | 460mR/650V | TO220F | 半桥/整流 |
| 电机半桥 | HV MOS | CS20N65A8 | 210mR/650V | TO220F | 半桥/整流 |
| 电机半桥 | HV MOS | CS30N65A6 | 255mR/650V | TO247 | 半桥/整流 |
| 电机半桥 | SiC MOS | LSC380M65D | 360mR/650V | TO252 | 半桥/整流 |
| 电机半桥 | SiC MOS | LSC040M65B | 35mR/650V | TO247 | 半桥/整流 |
| 电机半桥 | IGBT | LGT20N65HF | 20A/650V | TO220F | 整流/半桥 |
| 驱动供电 | LDO | 78L12 | VIN:7‑32V,Vout 12V 300mA | TO252 | 驱动供电 |
| 驱动供电 | LDO | 78L15 | VIN:7‑32V,Vout 15V 300mA | TO252 | 驱动供电 |
| 前级整流 | 整流桥 | GBU1510 | 15A/1000V | GBU | 整流桥 |
| 前级整流 | 整流桥 | KBP810 | 8A/1000V | KBP | 整流桥 |
| 逆变半桥 | LV MOS | LG120N085AG | 4.2mR/120V | PDFN5*6 | 大电流并联半桥 |
| 逆变半桥 | LV MOS | LG50N15AD | 15.6mR/150V | TO252 | 大电流并联半桥 |
| 逆变半桥 | LV MOS | LT80N04AG | 5.5mR/40V | PDFN5*6 | 大电流并联半桥 |
| 逆变半桥 | LV MOS | LG160N06AD | 2.2mR/60V | TO252 | 大电流并联半桥 |
| 逆变半桥 | LV MOS | LG280N04AD | 1mR/40V | TO252 | 大电流并联半桥 |
| 逆变半桥 | LV MOS | LG150N085AD | 3.6mR/85V | TO252 | 大电流并联半桥 |
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Q1:正弦波逆变器为何采用两级式拓扑?
A:低压直流需先经推挽升压至高压母线,再H桥逆变成交流,两级结构兼顾低压大电流输入与220V高压正弦输出,稳压精度高。
Q2:H桥逆变功率器件如何选型?
A:升压侧选650V SJ/HV/SiC MOS,H桥逆变大电流选低Rdson LV MOS(如LG160N06AD、LG280N04AD)并联,兼顾效率与散热。
Q3:逆变器如何保证输出为正弦波?
A:采用SPWM正弦脉宽调制+LC低通滤波平滑高频分量,配合电压闭环稳压,输出纯净50Hz工频正弦交流电。
本文为凌讯微电子【电源类/储能】专题技术文章。如需了解储能与电源变换方案,可浏览网站离网逆变器、储能变流器PCS选型指南,也可查看【电机类】、【电池类(BMS)】栏目其他选型资料。
来源:广东凌讯微电子
编辑:技术部