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功率器件可靠性实验 Power Device Reliability Test Capability |
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概述 针对MOSFET、IGBT、SiC、GaN等功率半导体器件,提供全套可靠性验证测试。严格遵循JEDEC、JIS等国际标准,覆盖环境可靠性、电应力可靠性、封装可靠性,用于评估功率器件长期工作稳定性、耐受环境应力能力,支撑器件产品定型、来料验证、失效分析。 |
可靠性测试项目列表
| 试验项目 / Test Item | 试验条件 / Test Condition | 测试目的说明 |
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温湿度偏置测试 Temperature Humidity Bias |
85℃ / 85%RH,偏置电压,JEDEC22‑A101 | 评估高温高湿偏置下封装、钝化层抗腐蚀能力 |
| 高温反偏 HTRB | 150℃,施加反向工作电压,JIS C7021 A‑3 | 考核PN结、终端结构高温反向电压可靠性 |
| 高温栅偏 HTGB | 150℃,施加栅极偏置电压 | 评估栅氧介质长期偏置下的稳定性 |
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温度循环试验 Temperature Cycling Test |
‑65℃ ~ +150℃,JEDEC22‑A104 | 考核封装、焊层、引线热胀冷缩抗疲劳能力 |
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高温存储 High Temperature Storage |
150℃,JEDEC22‑A103 | 评估器件在高温无偏置存储下稳定性 |
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高压蒸煮 PCT Pressure Cooker Test |
121℃ /100%RH,205kPa,JEDEC22‑A102 | 加速评估封装防潮密封性 |
| 功率循环 Power Cycling | ΔTj 按照器件规格设定,多次循环 | 考核芯片焊层、键合引线抗热疲劳,功率器件关键项目 |
| 回流焊模拟 IR Reflow | 峰值260℃,J‑STD‑020 | 模拟SMT焊接,验证器件耐焊接热能力 |
| 可焊性测试 Solderability | 245℃±5℃,5S,JEDEC22‑B102 | 检验引脚、焊盘上锡性能 |
| X‑RAY无损检测 | 非接触扫描检测 | 检测内部焊层空洞、封装内部缺陷 |
主要可靠性实验设备