摘要:本文为凌讯微电子电机类专题文章,详解步进电机驱动器两相双H桥斩波恒流驱动拓扑、细分控制与闭环防丢步原理,覆盖28/42/57/86系列电机、0.5A-8A电流范围,面向数控加工、自动化流水线、视觉检测、安防家居、医疗实验室、广告展示等场景,提供高压SJ/SiC MOS、低压LV MOS、光耦与整流桥器件选型清单,为步进驱动器方案设计、器件选型提供参考。
产品概述:步进电机控制器(驱动器)是用于驱动两相/三相/五相步进电机的运动控制单元。控制器接收上位机发出的脉冲信号、方向信号,通过细分驱动输出电流依次激励电机绕组,使电机转轴以固定步距角转动;无需编码器即可实现开环精准定位。细分功能可以降低振动、改善低速抖动。主流架构分为L298N、斩波恒流驱动、DSP闭环步进方案。
基础电气规格
拓扑工作原理:PLC、单片机等上位控制器发送脉冲信号与方向信号;驱动器MCU接收脉冲,根据拨码设置的细分值生成绕组电流波形;双H桥功率回路轮流给步进电机A、B两相绕组通电;电流采样回路实时检测绕组电流,通过斩波恒流控制保证绕组电流稳定;每接收一个脉冲电机转过一个细分步距角,从而完成位置与转速控制;闭环版本额外增加编码器检测转子位置,修正丢步。
1、数控加工设备
2、自动化流水线设备
3、视觉与检测设备
4、安防与智能家居
5、医疗实验室设备
6、广告与展示设备
下表为步进电机驱动器推荐功率器件:高压半桥SJ/SiC MOS、低压半桥LV MOS、光耦及整流桥,适配28/42/57/86系列步进驱动方案选型。
| 应用位置 | 类型 | 型号 | 规格 | 封装 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 高压半桥 | SJ MOS | LC65R040B | 35mR/650V | TO247 | 半桥开关管 |
| 高压半桥 | SJ MOS | LC60R130F | 130mR/650V | TO220F | 半桥开关管 |
| 高压半桥 | SJ MOS | LC65R600F | 520mR/650V | TO220F | 半桥开关管 |
| 高压半桥 | SJ MOS | LC65R600D | 520mR/650V | TO252 | 半桥开关管 |
| 高压半桥 | HV MOS | CS10N65A2 | 460mR/650V | TO220F | 半桥开关管 |
| 高压半桥 | HV MOS | CS30N65A6 | 255mR/650V | TO247 | 半桥开关管 |
| 高压半桥 | SiC MOS | LSC380M65D | 360mR/650V | TO252 | 半桥开关管 |
| 高压半桥 | SiC MOS | LSC040M65B | 35mR/650V | TO247 | 半桥开关管 |
| 低压半桥 | LV MOS | LG120N085AG | 4.2mR/120V | PDFN5*6 | 半桥开关管 |
| 低压半桥 | LV MOS | LG50N15AD | 15.6mR/150V | TO252 | 半桥开关管 |
| 低压半桥 | LV MOS | LT80N04AG | 5.5mR/40V | PDFN5*6 | 半桥/Vbus开关管 |
| 低压半桥 | LV MOS | LG160N06AD | 2.2mR/60V | TO252 | 半桥开关管 |
| 高压隔离 | 光耦 | EL357/3516 | C档 | SOP-4 | 过零采集/可控硅隔离驱动 |
| 前级整流 | 整流桥 | GBP510 | 5A/1000V | GBP | 整流桥 |
| 前级整流 | 整流桥 | MSB30B | 3A/1KV | UMSB | 整流桥 |
| 前级整流 | 整流桥 | KBP810 | 8A/1000V | KBP | 整流桥 |
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Q1:步进电机驱动器的细分有什么作用?
A:细分(如1-256)将步距角进一步细分,可显著降低振动与低速抖动,提升定位精度与运行平稳性。
Q2:开环与闭环步进驱动器如何选择?
A:对成本敏感、负载恒定的应用选开环;对防丢步、高精度定位要求高的场景(如点胶、视觉检测)选闭环带编码器版本。
Q3:步进驱动器双H桥MOS如何选型?
A:低压(12-48V)选低压LV MOS(如LG160N06AD、LT80N04AG),高压款选650V SJ超结或SiC MOS,兼顾耐压与导通损耗。
本文为凌讯微电子【电机类】专题技术文章。如需了解电机驱动与控制器方案,可浏览网站BLDC无刷电机驱动、伺服电机驱动器选型指南,也可查看【电源类】、【电池类(BMS)】栏目其他选型资料。
来源:广东凌讯微电子
编辑:技术部